晶圆微孔量测设备

晶圆微孔量测设备面向先进封装 3D 堆叠工艺和集成电路晶圆制造工艺中的高深宽比微孔阵列测量需求，主要应用于硅通孔（Through-Silicon Via，TSV）等高深宽比微孔阵列结构的几何尺寸与形貌表征，为半导体微结构加工过程中的工艺研发、参数优化和质量评价提供测量手段。

TSV 微孔具有孔径小、深宽比高、内部结构复杂及测量难度大的特点。设备集成角分辨光学散射、白光干涉、反射光谱和共聚焦显微等不同测量技术，可适配 TSV 的关键尺寸、深度和结构形貌等测量不同任务。

• 角分辨光学散射：非接触反演周期、线宽与结构高度
• 白光干涉：表面形貌与深度
• 反射光谱：薄膜与多层结构光学响应
• 共聚焦显微：高深宽比孔内壁形貌

可根据用户对测量对象、检测精度、测量效率及应用场景的具体要求，选择适宜的光学测量方法并开展客制化系统设计，为 TSV 结构尺寸表征、刻蚀工艺窗口优化等半导体制造过程控制提供量化技术支持。

• 先进封装 TSV 形貌与尺寸量测（Φ ≤ 10 μm，精度 ≤ 10 nm）
• 刻蚀工艺窗口优化与工艺研发
• 晶圆制造中高深宽比微孔的质量评价
• 量测参数与良率数据的关联分析

设备探测波长 400~700 nm 任选单色光，角度分辨率 ≤ 0.17°，入射角度范围 -64° ~ +64°，X / Y / Z 三轴可调，探测光斑 1~3 μm，单点测量时间 ≤ 1 min，支持任意偏振角度，样品台可定制自动扫描模块。

芯见微可配合客户完成工艺匹配、样机验证与现场集成，并按客户节拍要求提供自动化流程方案。