基于角分辨散射的光学关键尺寸量测设备

角分辨光学散射量测装备是一种面向薄膜、光栅、纳米线及周期性微纳结构的非接触光学测量系统。设备通过采集样品在不同波长、入射角和偏振条件下的反射及散射信号，分析光学响应与结构参数之间的关系，并结合 RCWA 电磁建模和数值拟合算法，反演被测结构的关键尺寸和光学特性。

设备具有快速、无接触和无损测量特点，适用于单层薄膜、多层膜、光栅、纳米线以及周期性光存储结构等多类样品。系统配套自研拟合算法，具有内存占用小、实时计算量低的特点，可降低复杂结构参数反演的数据处理资源需求，提高测量效率。

系统采用基于模型反演的非成像测量方法，不依赖对微纳结构进行直接成像，可表征小于传统光学成像直接分辨能力的结构参数。

• 针对薄膜结构：可分析薄膜厚度、多层膜厚度
• 针对光栅及周期性结构：可在线反演周期、线宽、结构高度等参数
• 宽角度扫描：入射角覆盖 -64° ~ +64°，配合 400–700 nm 任选单色光
• 任意偏振角度与 1~3 μm 微区探测光斑，适配微区量测

结合 RCWA 电磁建模与数值拟合算法完成参数反演，并输出结构参数与光学特性。

• 半导体介质薄膜与多层膜厚度量测
• 光栅结构关键参数测量：顶宽、底宽、周期、线高与侧壁角
• 纳米线结构的关键参数测量
• 外延及掺杂过程的元素浓度测量以及尺寸测量
• 三维纳米光存储器的结构表征与光学编码解码

设备配套自研拟合算法与光学系统，样品台支持定制化自动扫描模块，X / Y / Z 三轴可调。芯见微可提供样机测试、工艺匹配与现场集成支持，配合客户完成量测数据的比对与验证。