芯见微的非接触式光学量测能力覆盖从介质薄膜、光栅、纳米线，到高深宽比 TSV 微孔与三维纳米光存储结构的尺寸与形貌表征。以下为已验证的典型量测任务与能力指标。
案例一 半导体介质薄膜厚度测量
基于仿真数据与实验数据对比验证，薄膜厚度测量范围 1~500 nm，测量精度 ≤ 1 nm。
案例二 光栅结构关键参数测量
光栅结构测量尺寸范围 1–500 nm，测量精度 ≤ 1 nm，可反演顶宽、底宽、周期、线高与侧壁角。
案例三 纳米线结构的关键参数测量
纳米线结构尺寸范围 1~500 nm，测量精度 ≤ 5 nm。
案例四 外延及掺杂过程的元素浓度测量以及尺寸测量
掺杂浓度测量精度 ≤ 0.01%，尺寸范围 1~500 nm。
案例五 三维纳米光存储器测量与表征
面向高密度三维光存储器的结构表征需求，利用角分辨散射测量获取存储结构的光谱响应，通过散射光谱与结构形貌之间的定量关联，实现存储信息的光学编码与解码。
案例六 先进封装 TSV 形貌测量
TSV 尺寸范围 Φ ≤ 10 μm，尺寸测量精度 ≤ 10 nm。
量测方法验证
角分辨散射量测采用基于模型反演的非成像测量方法，以 RCWA 电磁建模生成仿真数据，与实验数据对比验证量测模型的可靠性。
